C-HTBN852S3M-150 - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-HTBN852S3M-150"

สินค้า

10,000+ ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

Page 3 of 15

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

ขั้นต่ำ: 100

฿โปร 1742999 150? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 1W ±0.5%

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805116 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805137 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

฿โปร 1742822 150? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 0.4W ± 0.25%

ขั้นต่ำ: 500

฿โปร 1742822P 150? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 0.4W ± 0.25%

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804819 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1.5nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805135 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 6kV Dc ±5% Sl อิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B240A-13-F Diode, Schottky, 2A, 40V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

Multicomp Pro MP001812 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 5POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805121 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805143 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001817 Wtb Conn, เฮดเดอร์ R/A, 10POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805113 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Multicomp Pro MCVVT016M151EA6L ฝาปิด, 150µF, 16V, Smd

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804848 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 6kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805108 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805110 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ไดโอด Multicomp Pro BAV199-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 140mA, 85V, SOT-23-3

ไดโอด Multicomp Pro BAV170-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 125mA, 85V, SOT-23-3

ไดโอด Multicomp Pro BAV99W-7-F, การกู้คืนที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOT-323-3

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805117 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MP001810 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 3POS, 1ROW, 2.5 มม.

Multicomp Pro MC34643 ส่วนหัว, R/A, Sq Pin, 2.54มม., 3WAY

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804834 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805122 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 4000

Te Connectivity 2328702-6 ขั้วต่อ Fpc, R/A, 6POS, 1ROW, 0.5MM

Multicomp Pro MC34749 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 4WAY

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804818 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Lr ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro ไดโอด S1A-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 50V, DO-214AC-2

Multicomp Pro ไดโอด S1G-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 400V, DO-214AC-2

Multicomp Pro S1K-13-F วงจรเรียงกระแส, 800V, 1A, DO-214AC

Multicomp Pro ไดโอด S1M-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 1KV, DO-214AC-2

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro ไดโอด S1G-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 400V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

Multicomp Pro ไดโอด S1D-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 200V, DO-214AC-2

ขั้นต่ำ: 5000

ไดโอด Multicomp Pro S1M-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 1KV, DO-214AC-2, รอกเต็ม

Multicomp Pro ไดโอด S1J-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 600V, DO-214AC-2

ขั้นต่ำ: 2000

Rs Pro 1804814 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว Slcc 1?F 50V Dc 10% X7R ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด อุณหภูมิ

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805131 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 6kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MCMF0W2FF1500A10 ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ, 150 โอห์ม, 500 มิลลิวัตต์, 1%

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805133 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804828 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804846 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 4000

Te Connectivity 2328702-4 ขั้วต่อ Fpc, R/A, 4POS, 1ROW, 0.5MM

Multicomp Pro MP001738 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 6POS, 2ROW, 2มม.

Multicomp Pro MP001816 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 9POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 1310

จานเพาะเชื้อ 90*15 มม. วัสดุ PS

Multicomp Pro ไดโอด S1B-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 100V, DO-214AC-2

ขั้นต่ำ: 5000

Te Connectivity 1-2328724-5 ขั้วต่อ Fpc, R/A, 15POS, 1ROW, 0.3MM

ขั้นต่ำ: 1600

Multicomp Pro MP-DTSM-32S-V-T/R สวิตช์สัมผัส, 0.05A, 12VDC, 320GF, Tht

Multicomp Pro MP001772 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 7POS, 1ROW, 2MM

Rs Pro 2430595P 150Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง 0.5% 0.15W

Rs Pro 2430595 150Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง 0.5% 0.15W

Multicomp Pro MP001778 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 13POS, 1ROW, 2MM

Multicomp Pro 2211R-05G เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 5WAY

Multicomp Pro MP001813 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 6POS, 1ROW, 2.5มม.

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro BSS138-7-F Mosfet, N Channel, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 5000

Te Connectivity 2-2328724-1 ขั้วต่อ Fpc, R/A, 21POS, 1ROW, 0.3MM

ขั้นต่ำ: 4000

Te Connectivity 1-2328702-0 ขั้วต่อ Fpc, R/A, 10POS, 1ROW, 0.5MM

ขั้นต่ำ: 500

Rs Pro 1804844 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805132 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้