C-MSX671N-2M - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-MSX671N-2M"

หมวดหมู่

1 ผลลัพธ์

ออปติคัล

6 สินค้า

สินค้า

900 ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

หน้า 2 จากผลลัพธ์ 900

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

ไดโอด Multicomp Pro AZ23C3V9-7-F, อาร์เรย์ซีเนอร์, 3.9V, 300mW, SOT-23

ขั้นต่ำ: 10

Multicomp Pro MCPWR05FTEW2004 Res, 2M, 1%, 0.125W, 0805, ฟิล์มหนา

ขั้นต่ำ: 10

Multicomp Pro MCPWR05FTEW2004 Res, 2M, 1%, 0.125W, 0805, ฟิล์มหนา

ขั้นต่ำ: 10

ตัวต้านทานชิป SMD Multicomp Pro MCHVR02JTFY2004 2M 5% 0.063W 0402 ฟิล์มหนา

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804831 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804820 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro MCHVR05FTFW2004 Res, 2M, 1%, 0.125W, 0805, ฟิล์มหนา

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804833 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro BSS84-7-F Mosfet, P Channel, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804816 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 2kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804832 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MC34747 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 3WAY

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม M6 x 12 SST DIN933,F/T. SS-A2

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม M6 x 10 SST DIN933,F/T. SS-A2

Multicomp Pro 2N7002-7-F Mosfet, N Channel, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAT54CT-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 30V, SOT-523-3, ม้วนเต็ม

Multicomp Pro MP001768 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 3POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B1100-13-F วงจรเรียงกระแส, Schottky, 1A, 100V, DO-214AC, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804835 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 10

Multicomp Pro MCHVR03JTFX2004 Res, 2M, 5%, 0.1W, 0603, ฟิล์มหนา

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here

ขั้นต่ำ: 10

Multicomp Pro MCHVR03JTFX2004 Res, 2M, 5%, 0.1W, 0603, ฟิล์มหนา

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B140-13-F Diode, Schottky, 1A, 40V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B130-13-F Diode, Schottky, 1A, 30V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805123 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1.5nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 10

Multicomp Pro MCHVR02FTFY2004 Res, 2M, 1%, 0.063W, 0402, ฟิล์มหนา

ขั้นต่ำ: 10

Multicomp Pro MCHVR02FTFY2004 Res, 2M, 1%, 0.063W, 0402, ฟิล์มหนา

ขั้นต่ำ: 2000

Rs Pro 1804815 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว Slcc 1nF 100V Dc 10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เทม

Multicomp Pro MC34643 ส่วนหัว, R/A, Sq Pin, 2.54มม., 3WAY

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804840 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro MMBD4448HSDW-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 500mA, 80V, SOT-363-6, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804851 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001810 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 3POS, 1ROW, 2.5 มม.

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804845 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 2000

Multicomp Pro MP006432 Res, 2M, 1W, แนวแกน, เมทัลออกไซด์

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805126 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804817 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805128 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro BSS84-7-F มอสเฟต, P Channel, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3

Multicomp Pro MC34749 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 4WAY

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805106 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม M5 X 12 DIN933, F/T. SS-A2

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม M4 x 10 SST DIN933,F/T. SS-A2

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม M4 x 8 SST DIN933,F/T. SS-A2

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม SST M3 x 8 DIN933,F/T. SS-A2

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม M3 x 10 SST DIN933,F/T. SS-A2

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม M3 x 6 SST DIN933,F/T. SS-A2

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม M5 x 8 SST DIN933,F/T. SS-A2

ขั้นต่ำ: 500

สกรูหกเหลี่ยม M5 x 10 SST DIN933,F/T. SS-A2

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805114 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 10

Multicomp Pro MCHVR05JTFW2004 Res, 2M, 5%, 0.125W, 0805, ฟิล์มหนา

ขั้นต่ำ: 10

Multicomp Pro MCHVR05JTFW2004 Res, 2M, 5%, 0.125W, 0805, ฟิล์มหนา

Multicomp Pro B120-13-F ไดโอด, ชอทกี้, 1A, 20V, DO-214AC-2

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804826 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804824 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804825 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804827 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001769 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 4POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 4000

Multicomp Pro MP000208 ความละเอียด AEC-Q200, 1.2M, 5%, 1.5W, 2512

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805102 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5V ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804829 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด