C-HTPA30H3M090-A-N10 - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-HTPA30H3M090-A-N10"

สินค้า

900 ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

หน้า 2 จากผลลัพธ์ 900

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804827 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631311, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันที่ไม่มีฉนวนหุ้มพร้อมแกนเซรามิก 39 Nh ±5% รหัส 600mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631377, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 68 Nh ± 5% แบบลวดพัน 500mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631298, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันที่ไม่มีฉนวนหุ้มพร้อมแกนเซรามิก 10 Nh ±5% รหัส 700mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631386, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 82 Nh ± 5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:65

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631370, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 47 Nh ± 5% แบบลวดพัน 500mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631305, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันโดยไม่หุ้มฉนวนพร้อมแกนเซรามิก, 22 Nh ±5% รหัส 700mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631358, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 10 Nh ± 5% แบบลวดพัน 600mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631392, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 150 Nh ±5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:50

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631409, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 270 Nh ±5% แบบลวดพัน 350mA Idc Q:48

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631351, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 18 Nh ± 5% แบบลวดพัน 600mA Idc Q:50

Multicomp Pro MP001810 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 3POS, 1ROW, 2.5 มม.

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804829 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro MMBD4448HSDW-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 500mA, 80V, SOT-363-6, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805111 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 100V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804849 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804837 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MC34749 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 4WAY

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805112 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro BSS84-7-F มอสเฟต, P Channel, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805103 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100nF 50V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805115 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 2kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804853 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805118 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805130 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805127 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001769 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 4POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B240A-13-F Diode, Schottky, 2A, 40V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

Multicomp Pro BSS138W-7-F มอสเฟต, N Channel, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-323-3

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro 1N5819HW-7-F Diode, Schottky, 1A, 40V, SOD-123, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804842 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805116 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MC34645 หัวต่อ, R/A, พินสี่เหลี่ยม, 2.54 มม., 4 ทิศทาง

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805137 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804819 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1.5nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro 2211R-05G เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 5WAY

Multicomp Pro MP001811 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 4POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804843 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805121 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805143 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805108 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805110 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805117 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805122 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805135 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 6kV Dc ±5% Sl อิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804848 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 6kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001812 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 5POS, 1ROW, 2.5MM

Multicomp Pro MP001817 Wtb Conn, เฮดเดอร์ R/A, 10POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804850 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 22pF 6kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805113 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805133 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001770 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 5POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B360A-13-F ไดโอด, วงจรเรียงกระแส, 3A, 60V, DO-214AC, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B340A-13-F ไดโอด, วงจรเรียงกระแส, 3A, 40V, DO-214AC, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805131 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 6kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804818 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Lr ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 2000

Rs Pro 1804814 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว Slcc 1?F 50V Dc 10% X7R ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด อุณหภูมิ

Multicomp Pro SMAJ160A-13-F Diode, ทีวี, 400W, 160V, ทิศทางเดียว, DO-214AC

Multicomp Pro SMAJ22A-13-F Diode, ทีวี, 400W, 22V, ทิศทางเดียว, DO-214AC

Multicomp Pro MP001818 Wtb Conn, เฮดเดอร์ R/A, 11POS, 1ROW, 2.5MM