C-HTPA22S3M100-A-P5 - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-HTPA22S3M100-A-P5"

สินค้า

900 ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

หน้า 2 จากผลลัพธ์ 900

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804840 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804851 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804845 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804845 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro ไดโอด RS1J-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 600V, DO-214AC-2

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805128 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805126 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804817 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805126 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805128 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805106 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805106 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805114 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805114 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804826 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804824 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804825 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804827 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MC34643 ส่วนหัว, R/A, Sq Pin, 2.54มม., 3WAY

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804826 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804827 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804824 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804825 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805102 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5V ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804829 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631358, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 10 Nh ± 5% แบบลวดพัน 600mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631377, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 68 Nh ± 5% แบบลวดพัน 500mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631298, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันที่ไม่มีฉนวนหุ้มพร้อมแกนเซรามิก 10 Nh ±5% รหัส 700mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631386, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 82 Nh ± 5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:65

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631392, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 150 Nh ±5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:50

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631370, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 47 Nh ± 5% แบบลวดพัน 500mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631305, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันโดยไม่หุ้มฉนวนพร้อมแกนเซรามิก, 22 Nh ±5% รหัส 700mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631409, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 270 Nh ±5% แบบลวดพัน 350mA Idc Q:48

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631351, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 18 Nh ± 5% แบบลวดพัน 600mA Idc Q:50

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631311, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันที่ไม่มีฉนวนหุ้มพร้อมแกนเซรามิก 39 Nh ±5% รหัส 600mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804829 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805102 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5V ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631358, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 10 Nh ± 5% แบบลวดพัน 600mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631392, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 150 Nh ±5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:50

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631370, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 47 Nh ± 5% แบบลวดพัน 500mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631305, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันโดยไม่หุ้มฉนวนพร้อมแกนเซรามิก, 22 Nh ±5% รหัส 700mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631409, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 270 Nh ±5% แบบลวดพัน 350mA Idc Q:48

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631311, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันที่ไม่มีฉนวนหุ้มพร้อมแกนเซรามิก 39 Nh ±5% รหัส 600mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631351, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 18 Nh ± 5% แบบลวดพัน 600mA Idc Q:50

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631386, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 82 Nh ± 5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:65

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631377, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 68 Nh ± 5% แบบลวดพัน 500mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631298, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันที่ไม่มีฉนวนหุ้มพร้อมแกนเซรามิก 10 Nh ±5% รหัส 700mA แบบลวดพัน

Multicomp Pro MP001810 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 3POS, 1ROW, 2.5 มม.

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805111 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 100V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805111 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 100V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804849 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804849 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804837 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MC34749 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 4WAY

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B140-13-F Diode, Schottky, 1A, 40V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B130-13-F Diode, Schottky, 1A, 30V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804837 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805103 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100nF 50V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805130 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805103 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100nF 50V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด