C-HTPA20S5M150-A-P12.7 - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-HTPA20S5M150-A-P12.7"

Specification Tables

1 ผลลัพธ์

cable-gland-img

Black, Grey, White, Red, Metallic - Nickel Finish

SKINTOP MS-M Brush, KSS PG THREAD (DIN STANDARD) (Strain Relief type), NSY, IMT3, ISM7

Galvanised Steel, Polyethylene, Polyester, Steel, Nylon 6.6 (Polyamide 6.6)

M63, M50, PG13.5, M32, PG29

Operating Temperature Range

-20 → +80 °C, -40 → +100 °C, -40 → +90 °C, -40 °C→+85 °C, -40 → +110 °C

สินค้า

10,000+ ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

Page 2 of 15

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

Multicomp Pro BZT52C43-7-F ไดโอด, ซีเนอร์, 43V, 500mW, SOD-123

Multicomp Pro ไดโอด BZT52C4V7S-7-F, ซีเนอร์, 4.7V, 200mW, SOD-323

Multicomp Pro BZX84C16-7-F ไดโอด, ซีเนอร์, 16V, 350mW, SOT-23

Multicomp Pro BZX84C3V3-7-F ไดโอด, ซีเนอร์, 3.3V, 350mW, SOT-23

Multicomp Pro MMBZ5245B-7-F ไดโอด, ซีเนอร์, 15V, 350mW, SOT-23

Multicomp Pro MMSZ5236B-7-F ไดโอด, ซีเนอร์, 7.5V, 500mW, SOD-123

Multicomp Pro MMSZ5234B-7-F ไดโอด, ซีเนอร์, 6.2V, 500mW, SOD-123

Multicomp Pro MMSZ5237B-7-F ไดโอด, ซีเนอร์, 8.2V, 500mW, SOD-123

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805102 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5V ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804829 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631351, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 18 Nh ± 5% แบบลวดพัน 600mA Idc Q:50

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631358, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 10 Nh ± 5% แบบลวดพัน 600mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631377, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 68 Nh ± 5% แบบลวดพัน 500mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631298, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันที่ไม่มีฉนวนหุ้มพร้อมแกนเซรามิก 10 Nh ±5% รหัส 700mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631386, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 82 Nh ± 5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:65

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631392, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 150 Nh ±5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:50

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631370, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 47 Nh ± 5% แบบลวดพัน 500mA Idc Q:60

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631305, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันโดยไม่หุ้มฉนวนพร้อมแกนเซรามิก, 22 Nh ±5% รหัส 700mA แบบลวดพัน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631409, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 270 Nh ±5% แบบลวดพัน 350mA Idc Q:48

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631311, 0603 (1608M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันที่ไม่มีฉนวนหุ้มพร้อมแกนเซรามิก 39 Nh ±5% รหัส 600mA แบบลวดพัน

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805111 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 100V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804849 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804837 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MP001809 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 2POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805103 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100nF 50V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805130 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro 1N5819HW-7-F Diode, Schottky, 1A, 40V, SOD-123, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro MMBD4448HSDW-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 500mA, 80V, SOT-363-6, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804853 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro 1N4148WS-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOD-323-2, ม้วนเต็ม

ไดโอด Multicomp Pro 1N4448WS-7-F, การกู้คืนที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 500mA, 75V, SOD-323-2

Multicomp Pro MC34747 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 3WAY

Multicomp Pro MP001769 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 4POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805112 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805115 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 2kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 11000

te-connectivity 2199248-4 Shield Finger Type A, โทรศัพท์มือถือ/สมาร์ทโฟน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804841 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805118 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805127 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ไดโอด Multicomp Pro BAV21WS-7-F, ฟื้นตัวได้เร็ว, 400mA, 250V, SOD-323-2

ไดโอด Multicomp Pro MMBD914-7-F, การกู้คืนที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 75V, SOT-23-3

ไดโอด Multicomp Pro BAV99-7-F, การกู้คืนที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 125mA, 85V, SOT-23-3

ไดโอด Multicomp Pro MMBD4148-7-F, การกู้คืนที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOT-23-3

ไดโอด Multicomp Pro BAS16-7-F, การกู้คืนที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 250mA, 85V, SOT-23-3

ไดโอด Multicomp Pro BAV16WS-7-F, การกู้คืนที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOD-323-2

ไดโอด Multicomp Pro BAW56-7-F, การกู้คืนที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOT-23-3

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804847 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

te-connectivity 2199248-4 Shield Finger Type A, โทรศัพท์มือถือ/สมาร์ทโฟน

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804842 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 50

Rs Pro 1778104 8A F ฟิวส์หลอดแก้ว, 5 X 20มม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804843 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804850 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 22pF 6kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MP001770 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 5POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805116 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805137 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804819 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1.5nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805135 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 6kV Dc ±5% Sl อิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B240A-13-F Diode, Schottky, 2A, 40V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

Multicomp Pro MP001812 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 5POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805121 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด