C-HTBN141S3M-100 - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-HTBN141S3M-100"

Brands

1 ผลลัพธ์

100 Plus
1 สินค้า

สินค้า

900 ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

หน้า 2 จากผลลัพธ์ 900

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805106 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1815439 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 16V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

Rs Pro 2430586 100Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง 0.5% 0.15W

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805114 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804845 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 7110930 100 ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคไมโครฟารัด 16V Dc แนวรัศมี ทะลุรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804817 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

Rs Pro 2430476P 100Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง 0.1% 0.06W

Rs Pro 2430476 100Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง 0.1% 0.06W

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805102 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5V ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MCMF0W2FF1000A10 ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ, 100 โอห์ม, 500 มิลลิวัตต์, 1%

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804825 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804827 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804824 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804826 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804829 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805111 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 100V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804837 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804849 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805112 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805103 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100nF 50V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805115 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 2kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804853 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

฿โปร 1743032 100? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 0.6W ± 0.5%

ขั้นต่ำ: 500

฿โปร 1743032P 100? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 0.6W ± 0.5%

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805118 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805130 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 7111090 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 25V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 7075792 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 6.3V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 200

Rs Pro 7075799 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 10V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805127 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 7110703 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 6.3V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 7075648 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 50V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7075648P 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 50V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 500

฿โปร 1742770P 100? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 0.4W ± 0.25%

ขั้นต่ำ: 100

฿โปร 1742770 100? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 0.4W ± 0.25%

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804842 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805116 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805137 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804819 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1.5nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804843 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805108 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805121 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805143 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Rs Pro 2430400 100Ω, 0201 (0603M) ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง 0.1% 0.03W

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 7111661 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 100V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805110 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Rs Pro 2430400P 100Ω, 0201 (0603M) ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง 0.1% 0.03W

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7111661P 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 100V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805117 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1701248 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 50V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1701061 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 25V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1701215 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 35V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1815053 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 35V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1815052 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 35V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1701271 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 63V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1701214 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 35V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1815051 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 25V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1815110 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 25V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1701063 100 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค 35V Dc, เรเดียล, ทะลุผ่านรู