C-CNFJNS20-150 - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-CNFJNS20-150"

หมวดหมู่

1 ผลลัพธ์

อุปกรณ์ป้องกันการตก

133 สินค้า

สินค้า

900 ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

หน้า 2 จากผลลัพธ์ 900

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

Multicomp Pro MP001768 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 3POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805128 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805126 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B1100-13-F วงจรเรียงกระแส, Schottky, 1A, 100V, DO-214AC, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804851 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805106 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805114 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Rs Pro 2430594 150Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง 0.5% 0.15W

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B140-13-F Diode, Schottky, 1A, 40V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B130-13-F Diode, Schottky, 1A, 30V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804845 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804817 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805102 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5V ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MC34643 ส่วนหัว, R/A, Sq Pin, 2.54มม., 3WAY

Multicomp Pro MCMF0W2FF1500A10 ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ, 150 โอห์ม, 500 มิลลิวัตต์, 1%

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804826 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804825 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804827 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804824 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631392, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 150 Nh ±5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:50

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here

Multicomp Pro MP001810 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 3POS, 1ROW, 2.5 มม.

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804829 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro MMBD4448HSDW-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 500mA, 80V, SOT-363-6, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805111 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 100V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804837 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804849 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MC34749 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 4WAY

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805112 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro BSS84-7-F มอสเฟต, P Channel, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805103 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100nF 50V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805115 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 2kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804853 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805118 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805130 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805127 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001769 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 4POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B240A-13-F Diode, Schottky, 2A, 40V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

Multicomp Pro BSS138W-7-F มอสเฟต, N Channel, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-323-3

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro 1N5819HW-7-F Diode, Schottky, 1A, 40V, SOD-123, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804842 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805116 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 200

฿โปร 1742999P 150? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 1W ±0.5%

ขั้นต่ำ: 100

฿โปร 1742999 150? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 1W ±0.5%

Multicomp Pro MC34645 หัวต่อ, R/A, พินสี่เหลี่ยม, 2.54 มม., 4 ทิศทาง

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805137 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804819 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1.5nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro 2211R-05G เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 5WAY

ขั้นต่ำ: 500

฿โปร 1742822P 150? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 0.4W ± 0.25%

ขั้นต่ำ: 100

฿โปร 1742822 150? ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 0.4W ± 0.25%

Multicomp Pro MP001811 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 4POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804843 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805121 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805143 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805108 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805110 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805117 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805122 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805135 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 6kV Dc ±5% Sl อิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804848 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 6kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001812 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 5POS, 1ROW, 2.5MM