C-UR6-30 - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-UR6-30"

Specification Tables

1 ผลลัพธ์

Circuit Breaker

circuit-breaker-img

Ambient air temperature for operation

-5°C to 60°C, -5°C to 55°C, -15°C to 60°C, -25°C to 70°C, -25…70 °C

Poles Description

1P + N, 1P + Ns, 3, 4P, 3P

Protected Poles Description

2t, 3t, 3t + N/2 3t 4t, 3D, 4D 3D + N/2 3D

[In] Rated Current

100 A at 40 °C, 2.5 A, 160 A, 63 A, 250 A

GB/T 14048.2 EN/IEC 60947-1 EN/IEC 60947-2, EN 60947-2 IEC 60947-2, EN/IEC 60947-1 EN/IEC 60947-2 JIS C8201-2-2 GB/T 14048.2, EN/IEC 60947-2 JIS C8201-2-2 EN/IEC 60947-1 GB/T 14048.2, EN/IEC 60947

สินค้า

900 ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

หน้า 1 จากผลลัพธ์ 900

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

ขั้นต่ำ: 10000

Rs Pro 8047035 30Ω, 0402 (1005M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ± 1% 0.063W

ขั้นต่ำ: 10000

Rs Pro 7169288 30.1kΩ, 0402 (1005M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±1% 0.063W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 7171118 30.9kΩ, 0603 (1608M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±1% 0.1W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 7171115 30.1kΩ, 0603 (1608M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ± 1% 0.1W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 7172935 30.1kΩ, 0805 (2012M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±1% 0.125W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 8048726 30Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ± 1% 0.1W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 8046316 30Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±1% 0.125W

Multicomp Pro MCMF0W4FF300JA50 ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ, 30 โอห์ม, 250mW, 1%

Multicomp Pro BZT52C43-7-F ไดโอด, ซีเนอร์, 43V, 500mW, SOD-123

Multicomp Pro ไดโอด BZT52C36S-7-F, ซีเนอร์, 36V, 200mW, SOD-323

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro ไดโอด S1G-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 400V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 5000

ไดโอด Multicomp Pro S1M-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 1KV, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAT54S-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 30V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

Multicomp Pro MC34745 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 2WAY

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAT54C-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 30V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro 1N4148W-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOD-123-2, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro 1N4148WS-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOD-323-2, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro 2N7002-7-F Mosfet, N Channel, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro MMBD914-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 75V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro MMBD4148-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

Multicomp Pro MP001767 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 2POS, 1ROW, 2MM

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804836 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAV99-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 125mA, 85V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804820 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804831 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804833 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804832 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 2000

Rs Pro 1804815 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว Slcc 1nF 100V Dc 10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เทม

Multicomp Pro MC34641 หัวต่อ, R/A, Sq Pin, 2.54มม., 2WAY

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAV199-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 140mA, 85V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

Multicomp Pro MP001809 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 2POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804816 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 2kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro US1M-13-F Diode, ฟื้นตัวเร็ว, 1A, 1KV, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804835 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAT54CT-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 30V, SOT-523-3, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro BSS138-7-F Mosfet, N Channel, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, รอกเต็ม

ไดโอด Multicomp Pro AZ23C3V9-7-F, อาร์เรย์ซีเนอร์, 3.9V, 300mW, SOT-23

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804847 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro BSS84-7-F Mosfet, P Channel, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, รอกเต็ม

Multicomp Pro MC34747 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 3WAY

Multicomp Pro 2N7002-7-F Mosfet, N Channel, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805123 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1.5nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804841 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804840 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001768 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 3POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805128 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805126 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B1100-13-F วงจรเรียงกระแส, Schottky, 1A, 100V, DO-214AC, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804851 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805106 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805114 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B140-13-F Diode, Schottky, 1A, 40V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B130-13-F Diode, Schottky, 1A, 30V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804845 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804817 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805102 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5V ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MCMF0W2FF300JA10 ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ, 30 โอห์ม, 500mW, 1%

Multicomp Pro MC34643 ส่วนหัว, R/A, Sq Pin, 2.54มม., 3WAY

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804824 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804826 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here