C-HTPA32S5M150-A-N14 - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-HTPA32S5M150-A-N14"

Specification Tables

1 ผลลัพธ์

cable-gland-img

Grey, Metallic, Metallic - Nickel Finish, Black, White

KSS PG THREAD (DIN STANDARD) (Strain Relief type), NSY, Lexium 32i, IMT3, ISM7

Steel, Galvanised Steel, Polyethylene, Polyester, Brass

M20 x 1.5, M13 x 1.5, PG9, M16 x 1.5, PG13.5

Operating Temperature Range

-40 °C→+85 °C, -40 → +90 °C, -20 → +80 °C, -40 → +110 °C, -40 → +100 °C

สินค้า

900 ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

หน้า 1 จากผลลัพธ์ 900

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631440, 0402 (1005M) ตัวเหนี่ยวนำแบบติดพื้นผิวหลายชั้นพร้อมแกนเซรามิก 22 Nh ± 5% สายพัน 300mA Idc

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631443, 0402 (1005M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 8.2 Nh ±0.1nH ตัวเหนี่ยวนำแบบลวดพัน 220mA Idc Q:13

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631430, 0402 (1005M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 3.3 Nh ±0.1nH ตัวเหนี่ยวนำแบบลวดพัน 380mA Idc Q:13

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631424, 0402 (1005M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 1 Nh ±0.1nH ตัวเหนี่ยวนำแบบลวดพัน 700mA Idc Q:13

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631437, 0402 (1005M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 2.2 Nh ±0.1nH ตัวเหนี่ยวนำแบบลวดพัน 440mA Idc Q:13

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631434, 0402 (1005M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 4.7 Nh ±0.1nH ตัวเหนี่ยวนำแบบลวดพัน 320mA Idc Q:13

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631428, 0402 (1005M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 1.5 Nh ±0.1nH ตัวเหนี่ยวนำแบบลวดพัน 700mA Idc Q:13

ขั้นต่ำ: 5000

วงจรเรียงกระแส Multicomp Pro M7, 1KV, 1A, A-SMA

Multicomp Pro BZT52C43-7-F ไดโอด, ซีเนอร์, 43V, 500mW, SOD-123

Multicomp Pro ไดโอด BZT52C36S-7-F, ซีเนอร์, 36V, 200mW, SOD-323

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro ไดโอด S1G-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 400V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 5000

ไดโอด Multicomp Pro S1M-13-F, การกู้คืนแบบมาตรฐาน, 1A, 1KV, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAT54S-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 30V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

Multicomp Pro MC34745 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 2WAY

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAT54C-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 30V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro 1N4148W-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOD-123-2, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro 1N4148WS-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOD-323-2, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro 2N7002-7-F Mosfet, N Channel, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro MMBD914-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 75V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro MMBD4148-7-F, การคืนสภาพที่รวดเร็วเป็นพิเศษ, 300mA, 75V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

Multicomp Pro MP001767 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 2POS, 1ROW, 2MM

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804836 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAV99-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 125mA, 85V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804820 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804831 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804833 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804832 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 2000

Rs Pro 1804815 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว Slcc 1nF 100V Dc 10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เทม

Multicomp Pro MC34641 หัวต่อ, R/A, Sq Pin, 2.54มม., 2WAY

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAV199-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 140mA, 85V, SOT-23-3, ม้วนเต็ม

Multicomp Pro MP001809 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 2POS, 1ROW, 2.5MM

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804816 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 2kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro US1M-13-F Diode, ฟื้นตัวเร็ว, 1A, 1KV, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804835 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 3000

ไดโอด Multicomp Pro BAT54CT-7-F, ฟื้นตัวได้เร็วเป็นพิเศษ, 200mA, 30V, SOT-523-3, ม้วนเต็ม

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro BSS138-7-F Mosfet, N Channel, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, รอกเต็ม

ไดโอด Multicomp Pro AZ23C3V9-7-F, อาร์เรย์ซีเนอร์, 3.9V, 300mW, SOT-23

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804847 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 3000

Multicomp Pro BSS84-7-F Mosfet, P Channel, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, รอกเต็ม

Multicomp Pro MC34747 เฮดเดอร์, 1 แถว, R/ANGLE, 3WAY

Multicomp Pro 2N7002-7-F Mosfet, N Channel, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805123 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1.5nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804841 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804840 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Multicomp Pro MP001768 Wtb Conn, เฮดเดอร์, R/A, 3POS, 1ROW, 2มม.

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805128 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805126 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B1100-13-F วงจรเรียงกระแส, Schottky, 1A, 100V, DO-214AC, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804851 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805106 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805114 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B140-13-F Diode, Schottky, 1A, 40V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 5000

Multicomp Pro B130-13-F Diode, Schottky, 1A, 30V, DO-214AC-2, รอกเต็ม

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804845 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804817 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805102 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5V ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Multicomp Pro MC34643 ส่วนหัว, R/A, Sq Pin, 2.54มม., 3WAY

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804824 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804826 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804825 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here