C-HTBN750S5M-150 - Eezee

Singapore

เข้าสู่ระบบ

|

ลงทะเบียน

Press

forward-slash-icon

to jump to the search box

Shopping List

รายการช้อปปิ้ง

รถเข็น

SGD - S$

ผลการค้นหาสำหรับ "C-HTBN750S5M-150"

หมวดหมู่

1 ผลลัพธ์

น้ำยาทำความสะอาดอเนกประสงค์

335 สินค้า

สินค้า

900 ผลลัพธ์

All Filters

0

filter-button-icon

ราคา

filter-button-icon

หมวดหมู่

filter-button-icon

แบรนด์

หน้า 1 จากผลลัพธ์ 900

ความเกี่ยวข้อง

ราคา: สูงไปต่ำ

ราคา: ต่ำไปสูง

ขั้นต่ำ: 10000

Rs Pro 8047088 150Ω, 0402 (1005M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ± 1% 0.063W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 8048785 150Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ± 1% 0.1W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 7134119 150Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±5% 0.1W

ขั้นต่ำ: 15000

Rs Pro 1839508 150Ω, 0201 (0603M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±1% 50mW

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 8046385 150Ω, 0805 (2012M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±1% 0.125W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 7136875 150Ω, 0805 (2012M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±5% 0.125W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 7131325 150Ω, 1206 (3216M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±5% 0.25W

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 8029554 150Ω, 1206 (3216M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ±1% 0.25W

ขั้นต่ำ: 5000

฿โปร 7397395 150? ตัวต้านทานฟิล์มคาร์บอน 0.25W ± 5%

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 7382671 150Ω ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน 0.5W ±5%

Rs Pro 1690297 150Ω, Melf 0204 ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มบาง ± 1% 0.4W

Multicomp Pro MCCFR0W8J0151A20 ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน, 150 โอห์ม, 125mW, 5%

Multicomp Pro MCMF0W8FF1500A20 ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ, 150 โอห์ม, 125mW, 1%

ขั้นต่ำ: 2000

Rs Pro 7397064 150Ω ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน 1W ±5%

Multicomp Pro MCCFR0W4J0151A50 ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน, 150 โอห์ม, 250 มิลลิวัตต์, 5%

Rs Pro 1691745 150Ω, Melf 0204 ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มบาง ± 1% 0.4W

Rs Pro 1839615 150Ω, 2512 (6432M) ตัวต้านทาน Smd แบบฟิล์มหนา ± 5% 1W

ขั้นต่ำ: 9000

ฉลากสำหรับเครื่องพิมพ์ RF Hand Held Mobile Qln 150แผ่น/ม้วน

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804836 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804831 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804820 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 2000

฿โปร 7400808 150? ตัวต้านทานฟิล์มคาร์บอน 2W ± 5%

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804832 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 2000

Rs Pro 1804815 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว Slcc 1nF 100V Dc 10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เทม

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804833 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804816 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 2kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 6000

ฉลากสำหรับเครื่องพิมพ์ RF Hand Held Mobile Qln 150แผ่น/ม้วน

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804835 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 5000

Rs Pro 1742598 150Ω ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 0.4W ±0.25%

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804847 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1742683 150Ω ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 1W ±0.5%

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805123 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1.5nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804841 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804840 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805128 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805126 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804851 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805106 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

Rs Pro 2430594 150Ω, 0603 (1608M) ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง 0.5% 0.15W

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805114 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804845 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804817 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805102 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±20% Y5V ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804826 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804825 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804827 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 2.2nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1500

Rs Pro 1804824 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 7631392, 0805 (2012M) ตัวเหนี่ยวนำ Smd แบบลวดพันพร้อมแกนเซรามิก 150 Nh ±5% แบบลวดพัน 400mA Idc Q:50

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804829 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 4.7nF 2kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805111 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 100V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804849 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804837 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±20% Y5U ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 150

Rs Pro 1805112 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 220pF 2kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805103 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100nF 50V Dc ±10% X7R ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805115 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 47pF 2kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804853 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 6kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 125

Rs Pro 1805118 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 100pF 3kV Dc ±5% Sl ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +125°C ค่า Op สูงสุด ต

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805130 ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

ขั้นต่ำ: 100

Rs Pro 1805127 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 470pF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด

ขั้นต่ำ: 1000

Rs Pro 1804842 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกชั้นเดียว (slcc) 1nF 3kV Dc ±10% Y5P ไดอิเล็กทริก, ทะลุผ่านรู +85°C ค่า Op สูงสุด เต้

Try Another Search ?

Need more specific results? Apply filters here