Samsung MZ-V9E2T0BW 990 Evo Pcie® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe-2TB

• ความเร็วในการอ่าน/เขียนตามลำดับสูงสุด 5,000/4,200 MB/s
• ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ได้รับการปรับปรุงรองรับ Modern Standby
• ตอบสนองความต้องการด้านการเล่นเกม ธุรกิจ และงานสร้างสรรค์
• พีซีไคลเอนต์แอปพลิเคชัน
• ฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 (2280)
• อินเทอร์เฟซ PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
• ประสิทธิภาพสูงสุด 5,000 MB/s*
• การเขียนต่อเนื่องสูงสุด 4,200 MB/s *
• การรับประกัน การรับประกันแบบจำกัดเงื่อนไข 5 ปี หรือการรับประกันแบบจำกัด 1200 TBW

คุณสมบัติทั่วไป

• พีซีไคลเอนต์แอปพลิเคชัน
• ความจุสูงสุด 2,000GB (1GB=1 พันล้านไบต์โดย IDEMA) * ความจุที่ใช้งานจริงอาจน้อยกว่า (เนื่องจากการฟอร์แมต การแบ่งพาร์ติชัน ระบบปฏิบัติการ แอปพลิเคชัน หรืออื่นๆ)
• ฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 (2280)
• อินเทอร์เฟซ PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
• หน่วยความจำที่เก็บข้อมูล Samsung V-NAND TLC
• คอนโทรลเลอร์ คอนโทรลเลอร์ภายในองค์กรของ Samsung
• หน่วยความจำแคช HMB (บัฟเฟอร์หน่วยความจำโฮสต์)

คุณสมบัติพิเศษ

• รองรับ TRIM
• รองรับการสนับสนุนสมาร์ท
• GC (Garbage Collection) อัลกอริธึมการเก็บขยะอัตโนมัติ
• รองรับการเข้ารหัส AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
• การสนับสนุน WWN ไม่รองรับ
• รองรับโหมดสลีปของอุปกรณ์ ใช่

ผลงาน

• อ่านต่อเนื่องสูงสุด 5,000 MB/s *
• การเขียนต่อเนื่องสูงสุด 4,200 MB/s *
• การอ่านแบบสุ่ม (4KB, QD32) สูงสุด 700,000 IOPS * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การเขียนแบบสุ่ม (4KB, QD32) สูงสุด 800,000 IOPS * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปตามฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การอ่านแบบสุ่ม (4KB, QD1) สูงสุด 20,000 IOPS * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การเขียนแบบสุ่ม (4KB, QD1) สูงสุด 90,000 IOPS * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปตามฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า

สิ่งแวดล้อม

• การใช้พลังงานเฉลี่ย (ระดับระบบ)*เฉลี่ย: อ่าน 5.5 W / เขียน 4.7 W* การใช้พลังงานจริงอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การใช้พลังงาน (ไม่ได้ใช้งาน) โดยทั่วไป 60 mW * การใช้พลังงานจริงอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การใช้พลังงาน (โหมดสลีปของอุปกรณ์) โดยทั่วไป 5 mW * การใช้พลังงานจริงอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• แรงดันไฟฟ้าที่อนุญาต e3.3 V ± 5 % แรงดันไฟฟ้าที่อนุญาต
• ความน่าเชื่อถือ (MTBF) ความน่าเชื่อถือ 1.5 ล้านชั่วโมง (MTBF)
• อุณหภูมิในการทำงาน 0 - 70 ℃ อุณหภูมิในการทำงาน
• แรงกระแทก 1,500 G & 0.5 ms (ฮาล์ฟไซน์)

เครื่องประดับ

• ชุดติดตั้งไม่มีจำหน่าย

ซอฟต์แวร์

• ซอฟต์แวร์ SW Magician สำหรับการจัดการสำหรับการจัดการ SSD

การรับประกัน

• การรับประกันแบบจำกัดเงื่อนไข 5 ปี หรือการรับประกันแบบจำกัด 1200 TBW