Samsung MZ-V8V1T0BW 980 Nvme Pcie Gen.3 1TB

• Samsung NVMe SSD ขับเคลื่อนโดยเทคโนโลยี V-NAND
• อ่านต่อเนื่องสูงสุด 3,500 MB/s และเขียนสูงสุด 3,000 MB/s
• รับประกันสินค้า 5 ปี
• อินเทอร์เฟซ PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4
• อ่านต่อเนื่องสูงสุด 3,500 MB/s * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การเขียนต่อเนื่องสูงสุด 3,000 MB/s * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การรับประกัน การรับประกันแบบจำกัดเงื่อนไข 5 ปีหรือการรับประกันแบบจำกัด 600 TBW
• พีซีไคลเอนต์แอปพลิเคชัน

คุณสมบัติทั่วไป

• พีซีไคลเอนต์แอปพลิเคชัน
• ความจุสูงสุด 1,000GB (1GB=1 พันล้านไบต์โดย IDEMA) * ความจุที่ใช้งานจริงอาจน้อยกว่า (เนื่องจากการฟอร์แมต การแบ่งพาร์ติชัน ระบบปฏิบัติการ แอปพลิเคชัน หรืออื่นๆ)
• ฟอร์มแฟคเตอร์ M.2 (2280)
• อินเทอร์เฟซ PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4
• หน่วยความจำจัดเก็บข้อมูล Samsung V-NAND 3-bit MLC
• คอนโทรลเลอร์ คอนโทรลเลอร์ Samsung Pablo
• หน่วยความจำแคช HMB (บัฟเฟอร์หน่วยความจำโฮสต์)

คุณสมบัติพิเศษ

• รองรับ TRIM
• รองรับการสนับสนุนสมาร์ท
• GC (Garbage Collection) อัลกอริธึมการเก็บขยะอัตโนมัติ
• รองรับการเข้ารหัส AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
• รองรับ WWN ไม่รองรับ
• รองรับโหมดสลีปของอุปกรณ์ ใช่

ผลงาน

• การอ่านตามลำดับสูงสุด 3,500 MB/s * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปตามฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การเขียนต่อเนื่องสูงสุด 3,000 MB/s * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การอ่านแบบสุ่ม (4KB, QD32) สูงสุด 500,000 IOPS * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การเขียนแบบสุ่ม (4KB, QD32) สูงสุด 480,000 IOPS * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปตามฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การอ่านแบบสุ่ม (4KB, QD1) สูงสุด 17,000 IOPS * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปตามฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การเขียนแบบสุ่ม (4KB, QD1) สูงสุด 54,000 IOPS * ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปตามฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า

สิ่งแวดล้อม

• การใช้พลังงานโดยเฉลี่ย (ระดับระบบ) *เฉลี่ย: 4.6 W*สูงสุด: 5.3 W (โหมดต่อเนื่อง)* การใช้พลังงานจริงอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• การใช้พลังงาน (ไม่ได้ใช้งาน) สูงสุด 45 mW * การใช้พลังงานจริงอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
• แรงดันไฟฟ้าที่อนุญาต 3.3 V ± 5 % แรงดันไฟฟ้าที่อนุญาต
• ความน่าเชื่อถือ (MTBF) ความน่าเชื่อถือ 1.5 ล้านชั่วโมง (MTBF)
• อุณหภูมิในการทำงาน 0 - 70 ℃ อุณหภูมิในการทำงาน
• แรงกระแทก 1,500 G & 0.5 ms (ฮาล์ฟไซน์)

เครื่องประดับ

• ชุดติดตั้งไม่มีจำหน่าย

ซอฟต์แวร์

• การจัดการซอฟต์แวร์ SW Magician สำหรับการจัดการ SSD

การรับประกัน

• การรับประกันแบบจำกัดเงื่อนไข 5 ปีหรือการรับประกันแบบจำกัด 600 TBW