ข้อมูลจำเพาะ:

• ความจุหน่วยความจำ: 1,000 ไบต์ (พื้นที่ผู้ใช้)
• หน่วยขาย : 0.27 x 2 x 0.1 ซม
• ประเภทหน่วยความจำ: EEPROM
• เวลาการเก็บรักษาข้อมูล *1: 10 ปีหลังจากเขียน (สูงสุด 85 °C)
• ความทนทานในการเขียน: 100,000 ครั้งต่อบล็อก (ที่ 25 °C)
• อุณหภูมิการทำงานโดยรอบ (ระหว่างการสื่อสาร): - 25 ถึง 85 °C (ไม่มีน้ำแข็ง)
• อุณหภูมิการจัดเก็บโดยรอบ (ระหว่างการสำรองข้อมูล): -40 ถึง 125°C (โดยไม่มีน้ำแข็ง)
• ทนความร้อน: 1,000 รอบความร้อนในแต่ละ 30 นาที
• ที่อุณหภูมิ -10°C/150°C การเก็บรักษาที่อุณหภูมิสูง: 1,000 ชั่วโมง
• ที่อุณหภูมิ 150°C *2
• 200 รอบความร้อนในแต่ละ 30 นาทีที่ -10°C/180°C
• การจัดเก็บที่อุณหภูมิสูง: 200 ชั่วโมงที่ 180°C *3
• ความชื้นในการทำงานโดยรอบ: 35 ถึง 95%
• ระดับการป้องกัน : IP67 (IEC 60529:2001) ทนน้ำมันเทียบเท่า IP67G
• (JIS C 0920:2003 ภาคผนวก 1) *4
• ความต้านทานการสั่นสะเทือน: 10 ถึง 2,000 Hz, แอมพลิจูดสองเท่า 1.5 มม. ที่ความเร่ง 150 ม./วินาที โดยกวาด 10 ครั้งในแกน X, Y,
• และทิศทาง Z ครั้งละ 15 นาที
• ความต้านทานต่อแรงกระแทก: 500 ม./วินาที ในทิศทาง X, Y และ Z 3 ครั้งในแต่ละครั้ง (รวมทั้งหมด 18 ครั้ง)
• ลักษณะ : 20 เส้นผ่านศูนย์กลาง × 2.7 มม
• วัสดุ: ประมาณ. 2 ก